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    Eine Leistungsverstärkeranordnung umfasst einen Leistungsverstärker in einem Halbleiterkörper. Zumindest ein erster Eingangsanschluss (28) auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers (2) ist für eine Zuführung eines zu verstärkenden Signals vorgesehen. Ein erster Ausgangsabgriff (21, 22) der Anordnung ist zur Abgabe eines Signals mit einer ersten Mittenfrequenz ausgebildet, ein zweiter und ein dritter Ausgangsabgriff (23, 24) sind zur Abgabe eines zweiten Signals mit einer zweiten Mittenfrequenz ausgebildet. An den zweiten und dritten Ausgangsabgriff (23, 24) auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers (2) ist je ein Leitungsdraht (63, 64) angeschlossen. Erfindungsgemäß ist ein Ladungsspeicher (40) vorgesehen, welcher mit dem dritten Ausgangsabgriff (24) gekoppelt ist und der zur Bildung eines Serienresonanzkreises mit dem an den dritten Ausgangsabgriff (24) angeschlossenen Leitungsdraht (64) ausgebildet ist.A power amplifier arrangement comprises a power amplifier in a semiconductor body. At least one first input terminal (28) on the surface of the semiconductor body (2) is provided for supplying a signal to be amplified. A first output tap (21, 22) of the device is configured to output a signal at a first center frequency, second and third output tapes (23, 24) are adapted to output a second signal at a second center frequency. At the second and third Ausgangsabgriff (23, 24) on the surface of the semiconductor body (2) a respective lead wire (63, 64) is connected. According to the invention, a charge store (40) is provided, which is coupled to the third output tap (24) and which is designed to form a series resonant circuit with the line wire (64) connected to the third output tap (24).
    公开号:DE102004031687A1
    申请号:DE102004031687
    申请日:2004-06-30
    公开日:2006-01-26
    发明作者:Günter Donig；Boris Kapfelsperger；Krzysztof Kitlinski；Alfons Schmid
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:H01L23-50
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft eine Leistungsverstärkeranordnung sowie ein Verfahrenzum Verarbeiten eines Hochfrequenzsignals.TheThe invention relates to a power amplifier arrangement and a methodfor processing a high frequency signal.
    [0002] Diezunehmende Miniaturisierung und die geforderte Flexibilität von Mobilfunksystemenmachen es erforderlich, Leistungsverstärker für den Sendepfad eines Mobilfunkgerätes alsintegrierte Schaltungen in einem Halbleiterkörper mit zunehmend geringerenDimensionen auszubilden. Darüber hinauswerden moderne Mobilfunkgeräteso ausgeführt,dass sie mit mehreren verschiedenen Mobilfunkstandards arbeiten,die ihre Signale auf verschiedenen Frequenzen senden. Ein Beispieldafür sind Geräte für die WLANStandards 802.11a, b und 802.11g, deren Frequenzbänder imBereich von 2,4 GHz und 5.1 GHz liegen. Bei unterschiedlichen Frequenzenkann es erforderlich werden, mehrere verschiedene Leistungsverstärker für die einzelnenFrequenzbändervorzusehen. Eine solche Lösungist jedoch aus Kosten- und Platzgründen nicht zweckmäßig.TheIncreasing miniaturization and the required flexibility of mobile radio systemsmake it necessary to power amplifier for the transmission path of a mobile device asintegrated circuits in a semiconductor body with increasingly lowerTo form dimensions. Furthermorebecome modern mobile devicesso executed,that they work with several different mobile standards,send their signals on different frequencies. An examplefor it are devices for the WLANStandards 802.11a, b and 802.11g, whose frequency bands are in theRange of 2.4 GHz and 5.1 GHz. At different frequenciesIt may be necessary to have several different power amplifiers for eachfrequency bandsprovided. Such a solutionHowever, it is not appropriate for cost and space reasons.
    [0003] EineAlternative dazu stellt ein integrierter Leistungsverstärker mitmehreren parallel angeordneten Verstärkerzügen dar, wobei jeder einzelneVerstärkerzugfür einbestimmtes Frequenzband optimiert ist. Dabei wird an verschiedenenEingängen, dieden Verstärkerzügen zugeordnetsind, das zu verstärkendeSignal angelegt. Die Ausgängedes Verstärkerswerden durch geeignete Mittel auf eine gemeinsame oder auf verschiedenenAntennen geschaltet. Ein Beispiel eines Leistungsverstärkers ist derVerstärkerPMB 8825 der Infineon Technologies AG. Dieser Verstärker istvor allem fürdie Verstär kungvon Signalen nach dem Mobilfunkstandard Wireless LAN ausgelegt.Der Standard verwendet die zur freien Verfügung stehenden Frequenzbänder (ISM-Bänder) imBereich von 2,4 GHz bis 2,5 GHz sowie 5,15 GHz bis 5,825 GHz. DerLeistungsverstärkerPMB 8825 basiert auf Si-Ge-Technologie und weist für die einzelnenFrequenzbänderjeweils eigene Eingangsanschlüsseund Ausgangsabgriffe auf.AAn alternative is an integrated power amplifiera plurality of repeater trains arranged in parallel, each individualamplifier sectionfor acertain frequency band is optimized. It will be at differentEntrances, theassigned to the amplifier trainsare to be strengthenedSignal created. The exitsof the amplifierbe allocated to one common or different by appropriate meansAntennas switched. An example of a power amplifier is theamplifierPMB 8825 from Infineon Technologies AG. This amplifier isespecially forthe amplificationof signals according to the wireless standard wireless LAN.The standard uses the freely available frequency bands (ISM bands) in theRange from 2.4 GHz to 2.5 GHz and 5.15 GHz to 5.825 GHz. Of thepower amplifierPMB 8825 is based on Si-Ge technology and assigns to the individualfrequency bandseach own entrance connectionsand output taps on.
    [0004] Besondersim Bereich der beiden Frequenzbänderfür dieWireless LAN-Standards IEEE 802.11a, 11b und 11g ist es erforderlich,eine ausreichende Nachbarkanalunterdrückung zu gewährleisten.Problematisch bei Leistungsverstärkernmit mehreren parallelen Verstärkertypenfür einzelne Frequenzbänder istein Übersprechenharmonischer Frequenzanteile eines Signals in einen anderen Verstärkerzug.Beispielsweise ist gerade bei Verstärkern für die Frequenzbänder 2,4GHz bis 2,5 GHz und 5,15 GHz bis 5,825 GHz ein Übersprechen leicht möglich. Ein Übersprechenerfolgt unter anderem dann, wenn bei einem Ausgangssignal von 2,4GHz die Signalkomponente der zweiten Harmonischen des Ausgangssignalsbei 2,4 GHz in den 5 GHz Ausgang des Leistungsverstärkers überspricht.Harmonische Komponenten oder kurz harmonische stellen Signale dar,deren Frequenz ganzzahlige Vielfache der Frequenz des eigentlichenNutzsignals entsprechen.Especiallyin the range of the two frequency bandsfor theWireless LAN standards IEEE 802.11a, 11b and 11g it is necessaryto ensure sufficient adjacent channel suppression.Problematic with power amplifierswith several parallel amplifier typesfor individual frequency bandsa crosstalkharmonic frequency components of a signal in another amplifier train.For example, just for amplifiers for the frequency bands 2,4GHz to 2.5 GHz and 5.15 GHz to 5.825 GHz crosstalk easily possible. A crosstalktakes place, inter alia, if at an output of 2.4GHz the signal component of the second harmonic of the output signalat 2.4GHz into the 5GHz output of the power amplifier.Harmonic components or short harmonic represent signalswhose frequency is an integer multiple of the frequency of the actualUse signal correspond.
    [0005] Wichtigeharmonische Komponenten sind die zweite Harmonische bei der doppeltenNutzsignalfrequenz, sowie die dritte Harmonische bei der dreifachenFrequenz. Eine Erzeugung harmonischer Komponenten erfolgt durchnichtlineares Verhalten in aktiven Bauelementen des Verstärkers, beispielsweisein den Leistungstransistoren. Ein Übersprechen der Harmonischenin die parallel angeordneten Verstärkerzüge anderer Frequenzbe reichsmacht aufwändigeAbschirmungsmaßnahmeninnerhalb und außerhalbdes Chips erforderlich.Importantharmonic components are the second harmonic in the doublePayload frequency, as well as the third harmonic in the tripleFrequency. A generation of harmonic components is done bynonlinear behavior in active devices of the amplifier, for examplein the power transistors. Crosstalk of the harmonicsin the parallel-arranged amplifier trains other frequency range Reichsmakes elaborateshielding measuresinside and outsideof the chip required.
    [0006] Esist Aufgabe der Erfindung, einen Leistungsverstärker vorzusehen, bei dem miteinfachen Mitteln ein Übersprechenreduziert wird. Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahrenzum Verstärkeneines Hochfrequenzsignals vorzusehen, bei dem ungewünschte Signalanteilereduziert werden.ItObject of the invention to provide a power amplifier, in which withsimple means of crosstalkis reduced. Furthermore, it is an object of the invention to provide a methodto amplifyto provide a high-frequency signal, the unwanted signal componentsbe reduced.
    [0007] DieseAufgaben werden mit den Gegenständender vorliegenden Patentansprüchegelöst.Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.TheseTasks become with the objectsof the present claimssolved.Advantageous embodiments of the invention are specified in the subclaims.
    [0008] Nachdem erfindungsgemäßen Prinzipist eine Leistungsverstärkeranordnungmit einem Halbleiterkörperausgebildet und umfasst einen Leistungsverstärker, der innerhalb des Halbleiterkörpers ausgebildetist. Die Anordnung weist zumindest einen ersten Eingangsanschlussauf einer Oberfläche desHalbleiterkörperszur Zuführungeines zu verstärkendenSignals auf. Weiterhin umfasst die Leistungsverstärkeranordnungzumindest einen ersten Ausgangsanschluss auf der Oberfläche desHalbleiterkörperszur Abgabe eines ersten Signals. Das erste Signal weist eine ersteMittenfrequenz auf. Zudem sind ein zweiter Ausgangsabgriff sowieein dritter Ausgangsabgriff auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers beabstandetvon dem ersten Ausgangsabgriff vorgesehen. Der zweite und der dritteAusgangsabgriff sind zur Abgabe eines zweiten Signals ausgebildet.Das zweite Signal weist eine zweite Mittelfrequenz auf. Weiterhinist an dem zweiten Ausgangsabgriff sowie an dem dritten Ausgangsabgriffein Leitungsdraht angeschlossen, der durch eine Induktivität charakterisiertist. Letztlich ist ein Ladungsspeicher vorgesehen, der mit dem drittenAusgangsabgriff gekoppelt ist und der zur Bildung eines Reso nanzkreiseszusammen mit dem an den dritten Ausgangsabgriff angeschlossenenLeitungsdraht ausgebildet ist. Bei der Mittenfrequenz handelt essich um diejenige Frequenz, auf der das Nutzsignal abgegeben wird.According to the principle of the invention, a power amplifier arrangement is formed with a semiconductor body and comprises a power amplifier, which is formed within the semiconductor body. The arrangement has at least one first input terminal on a surface of the semiconductor body for supplying a signal to be amplified. Furthermore, the power amplifier arrangement comprises at least one first output terminal on the surface of the semiconductor body for outputting a first signal. The first signal has a first center frequency. In addition, a second output tap and a third output tap are provided on the surface of the semiconductor body at a distance from the first output tap. The second and the third output tap are designed to output a second signal. The second signal has a second center frequency. Furthermore, a lead wire is connected to the second output tap and to the third output tap, which is characterized by an inductance. Finally, a charge storage is provided, which is coupled to the third output tap and the formation of a Reso nanzkreises together with the third from output tap connected lead wire is formed. The center frequency is the frequency at which the useful signal is emitted.
    [0009] Durchden Ladungsspeicher wird ein Resonanzkreis mit einer Übertragungscharakteristikgebildet, der im Ausgangssignal am zweiten und am dritten Ausgangsabgriffzu einer Unterdrückungnicht gewünschterKomponenten und insbesondere harmonischer Komponenten des Ausgangssignalsführt.Anders ausgedrücktwird durch das Mittel ein Saugkreis für unerwünschte harmonische Komponentenim zweiten Ausgangssignal erzeugt, wodurch ein Übersprechen harmonischer Komponentenauf den ersten Ausgangsabgriff reduziert wird.Bythe charge storage becomes a resonance circuit having a transfer characteristicformed in the output signal at the second and the third output tapto a suppressionnot wantedComponents and in particular harmonic components of the output signalleads.In other wordsBy means of this, it becomes an absorption circuit for unwanted harmonic componentsgenerated in the second output signal, whereby a crosstalk harmonic componentsis reduced to the first output tap.
    [0010] Ineiner bevorzugten Ausgestaltungsform umfasst der Ladungsspeichereinen Kondensator, deren erster Anschluss mit dem dritten Ausgangsabgriffund dessen zweiter Anschluss mit einem Bezugspotential verbundenist. Der Ladungsspeicher ist somit an den durch die Induktivität gekennzeichneten Leitungsdrahtangeschlossen. So wird ein einfacher Resonanzkreis beziehungsweiseein Hochpassfilter mit einer bestimmten Charakteristik gebildet.InIn a preferred embodiment, the charge storage device comprisesa capacitor whose first terminal is connected to the third output tapand its second terminal connected to a reference potentialis. The charge storage is thus at the characterized by the inductance conductor wireconnected. So is a simple resonant circuit orformed a high-pass filter with a specific characteristic.
    [0011] Ineiner Weiterbildung der Erfindung ist der Ladungsspeicher außerhalbdes Halbleiterkörpers undbevorzugt auch außerhalbdes Gehäusesangeordnet. In dieser Ausgestaltungsform bilden die Leitungsdrähte eineVerbindung zwischen Ausgangsabgriffen beziehungsweise Anschlusspadsauf der Oberflächedes Halbleiterkörpersmit am Gehäuse angeordnetenPins. In einer anderen Weiterbildung der Erfindung ist die Beabstandungdes dritte Ausgangsabgriffs von dem ersten Ausgangsabgriff auf derOber flächedes Halbleiterkörpersgrößer alsdie Beabstandung des zweiten Ausgangsabgriffs vom ersten Ausgangabgriff.Ina development of the invention is the charge storage outsideof the semiconductor body andpreferably outsideof the housingarranged. In this embodiment, the lead wires form aConnection between output taps and connection padson the surfaceof the semiconductor bodyarranged with the housingPins. In another embodiment of the invention, the spacingof the third output tap from the first output tap on theSurfaceof the semiconductor bodygreater thanthe spacing of the second output tap from the first output tap.
    [0012] Ineiner anderen Ausgestaltung ist der Ladungsspeicher mit einem zweitenAusgangsabgriff des Gehäusesinnerhalb des Gehäusesverbunden. Er ist somit innerhalb des Gehäuses angeordnet und gegebenenfallsvollständigvon diesem umschlossen. Bevorzugt bilden die beiden Abgriffe danneinen Abgriff fürdas Ausgangssignal auf der zweiten Mittenfrequenz und den Abgriffzur Zuführungeines Bezugspotentials.InIn another embodiment, the charge storage is a secondOutput tap of the housinginside the caseconnected. It is thus arranged within the housing and optionallyCompletelyenclosed by this. Preferably, the two taps then forma tap forthe output signal at the second center frequency and the tapto the feedera reference potential.
    [0013] Erfindungsgemäß wird soein Leistungsverstärkermit einem ersten und zumindest einem zweiten, parallel angeordnetenLeistungsverstärkerzug bereitgestellt,der jeweils einen ersten Ausgangsabgriff für eine Abgabe eines erstenSignals mit einer ersten Mittelfrequenz und zweier weiterer Ausgangsabgriffefür eineAbgabe eines Signals mit einer zweiten Mittenfrequenz ausgebildetist. Einer der beiden Ausgangsabgriffe für die Abgabe eines Signalsmit der zweiten Mittenfrequenz wird mit einem Ladungsspeicher zurBildung eines Resonanzkreises gekoppelt. Dann wird ein eingangsseitiganliegendes Signal von dem Leistungsverstärker verstärkt und an den zwei Ausgangsabgriffenabgegeben. Komponenten, die harmonische Signalanteile des abgegebenenSignals umfassen, werden durch den Resonanzkreis unterdrückt undein Übersprechendieser Komponenten auf den ersten Ausgangsabgriff wird reduziert.According to the invention is soa power amplifierwith a first and at least a second, arranged in parallelPower amplifier train provided,each of a first output tap for a delivery of a firstSignal having a first center frequency and two further output tapsfor oneDelivered a signal having a second center frequencyis. One of the two output taps for the delivery of a signalwith the second center frequency is with a charge storage forForming a resonant circuit coupled. Then an input sideapplied signal from the power amplifier amplified and at the two output tapsissued. Components, the harmonic signal components of the deliveredSignal are suppressed by the resonant circuit anda crosstalkof these components to the first output tap is reduced.
    [0014] Daein Übersprechendurch eine Kopplung der Abgriffe erfolgt, ist es in einer Ausgestaltungdes erfindungsgemäßen Verfahrensvorgesehen, diese räumlichmöglichstweit zu beabstanden. Insbesondere wird in einer Weiterbildung derLadungsspeicher mit dem Ausgangsabgriff gekoppelt, der von dem zu mindesteinem ersten Ausgangsabgriff räumlicham weitesten beabstandet ist.Therea crosstalkis done by coupling the taps, it is in an embodimentthe method according to the inventionprovided, this spatiallypreferablyfar to space. In particular, in a further development ofCharge storage coupled to the output tap, of which at leasta first output tap spatiallyis furthest apart.
    [0015] Ineiner weiteren Ausgestaltung wird der Ladungsspeicher nach der Fertigungdes Verstärkers mitseinen Anschlüssenan die Abgriffe auf dem Gehäuseangeschlossen.InA further embodiment of the charge storage after manufactureof the amplifier withhis connectionsto the taps on the housingconnected.
    [0016] EinverstärktesGesamtsignal, das neben dem Nutzsignal auch noch störende Signalanteile aufweist,wird erfindungsgemäß einemResonanzkreis zugeführt,dessen Resonanzfrequenz der Frequenz eines störenden Signalanteils entspricht.Dadurch wird das Nutzsignal innerhalb des Resonanzkreises gedämpft, während deran sich störendeAnteil eine Resonanz erfährt.Ist der Resonator an einem von zwei Ausgangsabgriffen angeschlossen wirdso der ungewünschteSignalanteil von dem zweiten Ausgangsabgriff weggesaugt, so dassan dem zweiten Ausgangsabgriff das reine Nutzsignal abgegriffenwerden kann.OnereinforcedTotal signal, which also has disturbing signal components in addition to the useful signal,becomes according to the invention aSupplied to the resonant circuit,whose resonant frequency corresponds to the frequency of a disturbing signal component.As a result, the useful signal is attenuated within the resonant circuit, while thein itself disturbingShare a resonance experiences.If the resonator is connected to one of two output tapsso the unwantedSignal portion sucked away from the second output tap, so thatat the second output tap the pure useful signal is tappedcan be.
    [0017] Imweiteren wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahmeauf die Zeichnungen im Detail erläutert. Es zeigen:in theFurther, the invention with reference to embodiments with referenceexplained in detail on the drawings. Show it:
    [0018] 1 einerstes Ausführungsbeispielder Erfindung, 1 a first embodiment of the invention,
    [0019] 2 einAusführungsbeispielmit einem daran angeschlossenen Anpassnetzwerk, 2 an embodiment with a matching network connected thereto,
    [0020] 3 eine Gegenüberstellung von Messergebnissendes Stands der Technik mit dem Ausführungsbeispiel gemäß 1. 3 a comparison of measurement results of the prior art with the embodiment according to 1 ,
    [0021] 1 zeigteine Ausgestaltungsform eines erfindungsgemäßen Leistungsverstärkers. DerLeistungsverstärkerist mit zwei getrennten, hier aus Übersichtsgründen nicht dargestellten Leistungsverstärkerzügen alsintegrierte Schaltung in einem Halbleiterkörper 2 ausgebildet.Für dieRealisierung der einzelnen Verstärkerzüge wirdeine Silizium-Germanium-Technologieverwendet, die sich vor allem durch ein besonders rauscharmes Verhaltenund eine hohe Stromfestigkeit auszeichnet. Der Leistungsverstärker istmit zwei einzelnen auf verschiedenen Frequenzbändern arbeitenden Verstärkerzügen ausgebildet.Auf der Oberflächedes Halbleiterkörperssind mehrere Anschlusskontakte als Kontaktpads aufgebracht. Einigeder Kontaktpads dienen zur Zuführungeines Versorgungsstroms oder von Kontrollsignalen. Anderen Kontaktenauf der Oberflächewerden die zu verstärkendenSignale zugeführt beziehungsweisedie verstärktenSignale abgegriffen. 1 shows an embodiment of a power amplifier according to the invention. The power amplifier is with two separate, not shown here for reasons of clarity power amplifier trains as an integrated circuit in a half conductor body 2 educated. For the realization of the individual amplifier trains a silicon germanium technology is used, which is characterized by a particularly low-noise behavior and a high current resistance. The power amplifier is formed with two separate amplifier bands operating on different frequency bands. On the surface of the semiconductor body a plurality of terminals are applied as contact pads. Some of the contact pads serve to supply a supply current or control signals. Other contacts on the surface of the signals to be amplified are supplied or tapped the amplified signals.
    [0022] DerLeistungsverstärkerin dem Halbleiterkörper 2 istin einem Gehäuseeingebettet, welches mehrere Anschlusspins aufweist. Das Gehäuse umfassteinen Kunststoff, der den Halbleiterkörper vollständig umschließt. Er wirdbeispielsweise in flüssigeroder halbfester Form aufgebracht und härtet dann aus. Dadurch istein bestmöglicherSchutz der darin befindlichen Schaltungen gewährleistet. Jedoch existierenhierzu verschiedene Fertigungsweisen, die den Halbleiterkörper 2 miteinem Gehäuse umgebenund vor Beschädigungschützen.The power amplifier in the semiconductor body 2 is embedded in a housing having a plurality of connection pins. The housing comprises a plastic which completely surrounds the semiconductor body. It is applied, for example, in liquid or semi-solid form and then cured. This ensures the best possible protection of the circuits therein. However, for this purpose, different production methods exist, which cover the semiconductor body 2 surrounded with a housing and protect against damage.
    [0023] DieAnschlusspins 11 bis 19 sind aus einem leitendenMaterial in das Gehäusefest eingearbeitet. Im Inneren des Gehäuses sind sie mit Bonddrähten 61 bis 69 verbunden,die zu den entsprechenden Kontaktpads 21 bis 29 aufder Oberflächedes Halbleiterkörpers 2 führen. Dadurchsind alle Kontaktpads auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 2 mitentsprechend zugeordneten Anschlusspins des Gehäuses verbunden.The connection pins 11 to 19 are made of a conductive material firmly incorporated into the housing. Inside the case they are with bonding wires 61 to 69 connected to the corresponding contact pads 21 to 29 on the surface of the semiconductor body 2 to lead. As a result, all contact pads are on the surface of the semiconductor body 2 connected to corresponding associated terminal pins of the housing.
    [0024] Imeinzelnen werden den Anschlusspins 15 und 19 desGehäuses 1 über dieals Bonddrähteausgebildeten Leitungen 65 bis 69 eine VersorgungsspannungVCC den Anschlusspads 25 und 29 und damit demLeistungsverstärkerzugeführt.Die Versorgungsspannung VCC dient zur Strom- und Spannungsversorgungwährenddes Betriebs des Leistungsverstärkers. Über dieAnschluss-Pins 18 und 16 des Gehäuses 1 werdenSignale überdie Bonddrähte 68 und 66 aufdie mit ihnen verbundenen Anschluss Kontaktpads 28 und 26 geführt. Dabeistellt das Anschlusspad 26 den Signaleingang für den Leistungsverstärkerzugdar, der Signale im Bereich von 2,4 GHz bis 2,5 GHz verstärkt. Dasam Anschlusspin 16 anliegende Signal besitzt eine Mittenfrequenzzwischen 2,4 GHz und 2,5 GHz.In detail, the connection pins 15 and 19 of the housing 1 over the lines designed as bonding wires 65 to 69 a supply voltage VCC the connection pads 25 and 29 and thus supplied to the power amplifier. The supply voltage VCC is used to supply power and power during operation of the power amplifier. About the connection pins 18 and 16 of the housing 1 be signals over the bonding wires 68 and 66 on the connected contact pads 28 and 26 guided. This is the connection pad 26 the signal input for the power amplifier train amplifying signals in the range of 2.4 GHz to 2.5 GHz. That at the connection pin 16 applied signal has a center frequency between 2.4 GHz and 2.5 GHz.
    [0025] DasKontaktpad 28 führtzu dem zweiten Leistungsverstärkerzugzur Verstärkungeines Signals mit der Mittenfrequenz 5,15 GHz bis 5,825 GHz. Umein Übersprechender eingangsseitig anliegenden Signale zu verhindern, sind die beidenAnschlusskontaktpads 28 und 26 räumlich möglichst weitvoneinander getrennt.The contact pad 28 leads to the second power amplifier train for amplifying a signal with the center frequency 5.15 GHz to 5.825 GHz. In order to prevent crosstalk of the signals present on the input side, the two connection contact pads are 28 and 26 spatially separated as far as possible.
    [0026] DerAnschlusspad 17, der überden Bonddraht 67 mit dem Kontaktpad 27 verbundenwird, ist, führtein Signal PC zur Einstellung der Ausgangsleistung des erfindungsgemäßen Leistungsverstärkers. DasKontaktpad 27 ist intern mit einer aus Übersichtsgründen nicht dargestellten Logikschaltung verbunden.Diese wertet ein Kontrollsignal PC aus, das die Leistungsverstärkung für die beidenVerstärkerzüge bestimmt.Die Logikschaltung steuert nach der Auswertung eine Verstärkung inden beiden einzelnen Verstärkertypensteuert.The connection pad 17 that over the bonding wire 67 with the contact pad 27 is connected, is a signal PC leads to adjust the output power of the power amplifier according to the invention. The contact pad 27 is internally connected to a logic circuit, not shown for reasons of clarity. This evaluates a control signal PC, which determines the power gain for the two amplifier trains. The logic circuit controls after the evaluation of a gain in the two individual amplifier types controls.
    [0027] Ausgangsseitigenthalten die beiden Verstärkerzüge jeweilszwei Kontaktpads, die überzwei parallel zueinander angeord nete Bonddrähte alle zwei Ausgangspinsdes Gehäuses 1 geführt werden.Für denLeistungsverstärkerzugzur Verstärkungeines Signals im 5 GHz ISM-Frequenzband sind die beiden Kontaktpads 21 und 22 vorgesehen,die mit den Anschlusspins 11 beziehungsweise 12 über dieBonddrähte 61 und 62 verbundensind. Die beiden Anschlusspins 13 und 14 des Gehäuses 1 sind über die Bonddrähte 63 und 64 mitden Kontaktpads 23 und 24 auf der Oberfläche desHalbleiterkörpers 2 verbunden.Die beiden Kontaktpads 23 und 24 bilden die Ausgangsabgriffefür denVerstärkerzugim 2,4 GHz-Frequenzband.On the output side, the two amplifier trains each contain two contact pads, the two parallel to each other angeord designated bonding wires all two output pins of the housing 1 be guided. For the power amplifier train to amplify a signal in the 5 GHz ISM frequency band are the two contact pads 21 and 22 provided with the connecting pins 11 respectively 12 over the bonding wires 61 and 62 are connected. The two connection pins 13 and 14 of the housing 1 are over the bonding wires 63 and 64 with the contact pads 23 and 24 on the surface of the semiconductor body 2 connected. The two contact pads 23 and 24 form the output taps for the amplifier train in the 2.4 GHz frequency band.
    [0028] Auchdie Kontaktpads 21, 22 und 23, 24 für die beidenparallelen Verstärkerzüge sindräumlich groß beabstandetangeordnet. Dadurch wird eine magnetische Kopplung der Bonddrähte derbeiden Leistungsverstärkerzüge reduziert,die zu den Anschlusspins 11, 12 und 13, 14 führen. Zweckmäßigerweisekann die magnetische Kopplung der Bonddrähte eines jeden einzelnen Verstärkerzugesauch füreine Anpassung des Ausgangs des Leistungsverstärkers and nachgeschaltete Elementeverwendet werden.Also the contact pads 21 . 22 and 23 . 24 for the two parallel amplifier trains are spatially spaced large. This reduces a magnetic coupling of the bonding wires of the two power amplifier trains leading to the connection pins 11 . 12 and 13 . 14 to lead. Conveniently, the magnetic coupling of the bonding wires of each individual amplifier train can also be used for matching the output of the power amplifier and downstream elements.
    [0029] Während eineslaufenden Betriebs ist zumeist einer der beiden Verstärkerzüge aktivund verstärktein eingangsseitig an den Anschlusspins 16 beziehungsweise 18 anliegendesSignal. Aufgrund der parallelen Anordnung der Ausgangsbonddrähte 61, 62 und 63, 64 kannes jedoch trotz der räumlichen Entfernungzu einem Übersprechenvon ausgangsseitig abgegebenen Signalen in den jeweils anderen Signalpfadkommen. So ist es beispielsweise möglich, dass die Komponentedes zweiten harmonischen Anteils eines Signals bei 2,4 GHz, welchean den Kontaktpads 23 und 24 abgegeben wird, durch einemagnetische Kopplung in die Bonddrähte 61 und 62 eingekoppeltwird. Dies führtzur Abgabe eines Signals im Bereich von 5 GHz an diesem Ausgang,auch wenn der erste Leistungsverstärkerzug abgeschaltet ist.During ongoing operation, usually one of the two amplifier trains is active and amplifies one input side at the connection pins 16 respectively 18 applied signal. Due to the parallel arrangement of the output bonding wires 61 . 62 and 63 . 64 However, in spite of the spatial distance, crosstalk of signals output on the output side may occur in the respective other signal path. For example, it is possible that the component of the second harmonic component of a signal at 2.4 GHz, which at the contact pads 23 and 24 is discharged, by a magnetic coupling in the bonding wires 61 and 62 is coupled. This will result in the delivery of a signal in the range of 5 GHz at this output, even if the first power amplifier train is turned off.
    [0030] Beieiner entsprechenden Verstärkungim zweiten Leistungsverstärkerzugkann die Amplitude der ersten Oberwelle, die als zweite Harmonischebezeichnet wird, im Bereich von 5 GHz einen vom verwendeten Mobilfunkstandardvorgeschriebenen zulässigenGrenzwert überschreiten.Den Signalverlauf eines in die Bonddrähte 61 und 62 eingekoppeltenSignals währendeiner Verstärkungim zweiten Verstärkerpfadzeigt die Teilfigur A der 3.With a corresponding gain in the second power amplifier train, the amplitude of the first harmonic, referred to as second harmonic, in the range of 5 GHz may exceed an allowable limit prescribed by the mobile radio standard used. The waveform of one in the bonding wires 61 and 62 coupled signal during amplification in the second amplifier path, the partial figure A shows the 3 ,
    [0031] Dabeiist auf der Abszisse die Eingangsleistung in dBm aufgetragen. Dielinke Skaleneinteilung zeigt die Ausgangsleistung in dBm-, die rechteEinteilung der Abszisse der Teilfigur A zeigt die Ausgangsleistungder harmonischen Komponenten in dBm. Ein eingangsseitig anliegendesSignal mit einer Eingangsleistung Pi wird im zweiten Verstärkerzugverstärktund überdie Bonddrähte 63 und 64 andie Anschlusspins 13 und 14 abgegeben. Aufgrundder magnetischen Kopplung wird ein Teil des verstärkten Signalsin die Bonddrähte 61, 62 eingekoppeltund damit an den Anschlusspins 11 und 12 des 5GHz Pfades abgegeben. Das bei einer eingangsseitig anliegenden Leistungvon 0 dBm eingekoppelte Signal S beträgt an den Pins 11 und 12 circa1 dBm, das der dritten Harmonischen 3H circa -26 dBm. Daseingekoppelte Signal S besitzt jedoch eine Mittenfrequenz von circa2,4 Gigahertz, währenddie Frequenz der dritten Harmonischen bei circa 7,5 Gigahertz liegt. DieseFrequenzbereiche könnendurch geeignete einfache Maßnahmenbeispielsweise durch einen einfachen Anpassfilter, welcher mit denAnschlusspins 11 und 12 verbunden ist, entsprechendstark unterdrücktwerden.The abscissa represents the input power in dBm. The left scale division shows the output power in dBm-, the right division of the abscissa of the subfigure A shows the output power of the harmonic components in dBm. An input-side signal with an input power Pi is amplified in the second amplifier train and via the bonding wires 63 and 64 to the connection pins 13 and 14 issued. Due to the magnetic coupling, part of the amplified signal becomes the bonding wires 61 . 62 coupled and thus to the connection pins 11 and 12 of the 5 GHz path. The signal S coupled in at an input power of 0 dBm is at the pins 11 and 12 about 1 dBm, the third harmonic 3H about -26 dBm. However, the injected signal S has a center frequency of approximately 2.4 gigahertz while the frequency of the third harmonic is approximately 7.5 gigahertz. These frequency ranges can be determined by suitable simple measures, for example, by a simple matching filter, which with the connection pins 11 and 12 connected, are strongly suppressed accordingly.
    [0032] Andersverhältes sich jedoch bei der Komponente der zweiten Harmonischen 2H,die ebenfalls bei einer Leistung des Eingangssignals von 0 dBm beicirca -25 dBm an den Anschlusspins 11 und 12 abgegebenwird. Dieses Signal liegt im Frequenzbereich des ersten Verstärkerzugesalso bei ca. 5 GHz.The situation is different with the second harmonic component 2H which also provides 0 dBm input signal power at approximately -25 dBm at the connector pins 11 and 12 is delivered. This signal is in the frequency range of the first amplifier train so at about 5 GHz.
    [0033] Erfindungsgemäß ist zurUnterdrückungder Anschlusspin 14 mit einem Kondensator 40 verbunden.Dieser Kondensator 40 bildet gemeinsam mit dem eine Induktivität aufweisendenBonddraht 64 einen Serienresonanzkreis mit einer entsprechenden Übertragungscharakteristik.Bei einer geeigneten Wahl des Kondensators 40 wird so eineResonanz in einem Frequenzbereich erreicht, die der zweiten Harmonischendes ausgangsseitig abgegebenen Signals entspricht. Die magnetischeKopplung zwischen den Bonddrähtendes ersten und des zweiten Verstärkerzugeswird durch diese Anordnung deutlich verringert, wodurch sich auchdas parasitäreSignal am 5 GHz Ausgang 11 und 12 reduziert. EineUrsache dafürliegt im Stromanteil des Bonddrahtes 63, der die Komponenteder zweiten Harmonischen 2H führt und der den Anschlusskontakten 21 und 22 beziehungsweiseden Pins 11 und 12 benachbart ist. Dieser Stromanteilwird durch den Resonanzkreis reduziert, so dass sich eine ausreichendeUnterdrückungder zweiten Harmonischen 2H an den Ausgängen 11 und 12 ergibt.Darüberhinaus wird bevorzugt der, den Kontaktpads 21 und 22 aufder Oberfläche desHalbleiterkörpers 2 abgewandteund damit am weitesten beabstandete Kontaktpad 24 des zweiten Leistungsverstärkerzugesverwendet. Dadurch ist der Strompfad des Resonanzkreises aus demBonddraht 64 und dem Kondensator 40, der die Hauptamplitudebei der zweiten Harmonischen erzeugt, räumlich so weit wie möglich vom5GHz Pfad entfernt und die magnetische Kopplung zwischen diesemPfad und dem Bonddraht 64 wird entsprechend reduziert.According to the invention for suppressing the connection pin 14 with a capacitor 40 connected. This capacitor 40 forms together with the inductance having a bonding wire 64 a series resonant circuit having a corresponding transmission characteristic. With a suitable choice of the capacitor 40 Thus, a resonance is achieved in a frequency range corresponding to the second harmonic of the output signal output. The magnetic coupling between the bonding wires of the first and second amplifier train is significantly reduced by this arrangement, which also causes the parasitic signal at the 5 GHz output 11 and 12 reduced. One reason for this lies in the current component of the bonding wire 63 , the second harmonic component 2H leads and the connection contacts 21 and 22 or the pins 11 and 12 is adjacent. This proportion of current is reduced by the resonant circuit, so that there is sufficient suppression of the second harmonic 2H at the exits 11 and 12 results. In addition, it is preferred that, the contact pads 21 and 22 on the surface of the semiconductor body 2 remote and thus furthest spaced contact pad 24 used the second power amplifier train. As a result, the current path of the resonant circuit of the bonding wire 64 and the capacitor 40 which generates the main amplitude at the second harmonic, as far away from the 5GHz path as possible, and the magnetic coupling between this path and the bond wire 64 will be reduced accordingly.
    [0034] TeilfigurB der 3 zeigt die übersprechenden Signalanteileder zweiten und dritten Harmonischen 2H, 3H sowiedes Hauptsignals am 5 GHz Ausgang an den Anschlusspins 11 und 12 inAbhängigkeiteiner eingangsseitig anliegenden Leistung im zweiten Leistungsverstärkerzugbei einer vorhandenen Serienresonanz aus der Induktivität des Bonddrahtes 64 undder Kapazitätdes Ladungsspeichers 40.Part B of the 3 shows the crosstalk signals of the second and third harmonics 2H . 3H and the main signal at the 5 GHz output at the connection pins 11 and 12 as a function of an input applied power in the second power amplifier train at an existing series resonance from the inductance of the bonding wire 64 and the capacity of the charge storage 40 ,
    [0035] Während sichim Vergleich zu der Teilfigur A der 3 der übersprechendeAnteil S bei 2,4 Gigahertz sowie die dazugehörige dritte Harmonische 3H bei7,5 Gigahertz kaum ändert,ist eine deutliche Reduzierung der zweiten Harmonischen 2H zuerkennen. Bei einer eingangsseitig anliegenden Leistung von 0 dBmwird an den Anschlusspads 11 und 12 die Signalamplitudeder zweiten Harmonischen um ca. 20 dB reduziert.While in comparison to the part A of the 3 the crosstalk S at 2.4 gigahertz and the associated third harmonic 3H At 7.5 gigahertz barely changes, is a significant reduction of the second harmonic 2H to recognize. At an input power of 0 dBm is applied to the connection pads 11 and 12 reduces the signal amplitude of the second harmonic by about 20 dB.
    [0036] 2 zeigteine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Leistungsverstärkers. Inihrer Funktion gleiche Bauelemente tragen dabei gleiche Bezugszeichen.Die beiden Anschlusspins 13 und 14 des Gehäuses 1 werdendabei getrennt ausgeführt undsind außerhalbdes Gehäusesnicht miteinander verbunden. Jedoch ist innerhalb des Gehäuses und insbesondereinnerhalb des Halbleiterkörpers 2 eine Verbindungvorhanden, die zu einer gemeinsamer Endverstärkerstufe führt. Der Anschlusspin 14 istan einen abstimmbaren Kondensator angeschlossen. Dadurch ist dieResonanzfrequenz des gebildeten Serienresonanzkreises aus der nichtdargestellten Leitung innerhalb des Gehäuses 1 und des Kondensatorsabstimmbar. Somit kann abhängigvon der Mittenfrequenz des abzugebenen Signals eine optimale Einstellungfür dieUnterdrückunggetroffen werden. 2 shows a development of the power amplifier according to the invention. In their function the same components carry the same reference numerals. The two connection pins 13 and 14 of the housing 1 are carried out separately and are not connected to each other outside the housing. However, within the housing and in particular within the semiconductor body 2 a connection exists that leads to a common final amplifier stage. The connection pin 14 is connected to a tunable capacitor. As a result, the resonance frequency of the series resonant circuit formed from the line, not shown, within the housing 1 and the capacitor tunable. Thus, depending on the center frequency of the signal to be output, an optimum setting for the suppression can be made.
    [0037] ZurAnpassung an eine externe Antenne 37 ist darüber hinausder Ausgangspin 13 mit einem Anpassungsnetzwerk verbunden.For adaptation to an external antenna 37 is beyond the exit pin 13 connected to a customization network.
    [0038] DasAnpassungsnetzwerk weist zwei hintereinander geschaltet Strip Linesverschiedener Länge 32 und 34 zurAnpassung an einen 50-Ohm-Wellenwiderstand auf. Zwischen den beidenStrip Lines 32 und 34 ist eine Kapazität 33 geschaltet.Die Strip Line 32 ist mit einem Anschluss an den Ausgangspin 13 angeschlossen.Weiterhin ist ein Trennkondensator 36 zwischen dem Ausgang 37 undder zweiten Strip Line 34 vorgesehen. Zwischen dem Kondensator 36 undder Strip Line 34 ist ein weiterer Kondensator 35 geschaltet,dessen zweiter Anschluss mit Masse verbunden ist. Dieses Anpassungsnetzwerkist auf die mit dem Anschluss 37 verbundene Antenne 51 inden gewünschtenFrequenzbereich von 2,4 GHz bis 2,5 GHz optimiert. Der Kondensator 40 istwieder so gewählt,dass er gemeinsam mit dem hier nicht dargestellten Bonddraht, dervom Anschlusspin 14 auf den Halbleiterkontaktpad führt, eineSerienresonanz bildet.The customization network has two consecutively connected strip lines of different lengths 32 and 34 to adapt to a 50 ohm characteristic impedance. Between the two strip lines 32 and 34 is a capacity 33 connected. The strip line 32 is with a connection to the output pin 13 connected. Furthermore, a separator capacitor 36 between the exit 37 and the second strip line 34 intended. Between the capacitor 36 and the strip line 34 is another capacitor 35 switched, whose second terminal is connected to ground. This customization network is on with the connection 37 connected antenna 51 optimized in the desired frequency range from 2.4 GHz to 2.5 GHz. The capacitor 40 is again chosen so that it together with the bonding wire, not shown here, of the Anschlusspin 14 leads to the semiconductor contact pad, forming a series resonance.
    [0039] Dashier aufgeführteBeispiel mit dem extern angeordneten Kondensator 40 lässt es sichebenso auch mit einem innerhalb des Gehäuses 1 angeordnetenKondensator realisieren. Dieser ist dann innerhalb des Gehäuses 1 mitdem Anschlusspin 14 sowie einem Massepotential führendenAnschlusspin verbunden. Diese Ausführungsform ist in Form einesgestrichelt gezeichneten Kondensators 40A dargestellt. Eshat den Vorteil, dass der Kondensator von dem Gehäuse geschützt ist.Die hier beschriebene Ausführungsformlässt essich auch auf Verstärkermit mehr als zwei Verstärkerzügen anwenden.Der jeweils realisierte Resonanzkreis sollte dabei, um eine magnetischeEinkoppelung zu reduzieren, möglichst weitvon den Bonddrähtenentfernt sein, die den Verstärkerzugfür dieentsprechende Frequenz der zweiten Harmonischen mit den Anschlusspinsverbinden.The example given here with the externally arranged capacitor 40 It can also be with one inside the case 1 realize arranged capacitor. This is then inside the housing 1 with the connection pin 14 and a ground potential leading terminal pin connected. This embodiment is in the form of a dashed capacitor 40A shown. It has the advantage that the capacitor is protected by the housing. The embodiment described here can also be applied to amplifiers with more than two amplifier trains. The respectively realized resonant circuit should, in order to reduce a magnetic coupling, be as far as possible from the bonding wires which connect the amplifier train for the corresponding frequency of the second harmonic with the connection pins.
    11 Gehäusecasing 22 HalbleiterkörperSemiconductor body 11,121112 Ausgangspinsdes ersten Verstärkerzugsoutput pinsof the first amplifier train 13,141314 Ausgangspinsdes zweiten Verstärkerzugsoutput pinsof the second amplifier train 15,191519 Versorgungsdienstsupply services 16,181618 Anschlusspinsfür Eingangssignaleconnector pinsfor input signals 1717 Anschlusspinfür Kontrollsignalconnector pinfor control signal 21bis 2921to 29 Kontaktpadscontact pads 61bis 6961to 69 BonddrähteBond wires 32,343234 StripLineStripline 33,34, 363334, 36 Kondensatorencapacitors 51,525152 Antenneantenna 30,313031 Zuführungsleitungfeed pipe 4040 ResonanzkreiskondensatorResonant circuit capacitor SS Nutzsignalpayload 2H2H ZweiteHarmonischeSecondharmonic 3H3H DritteHarmonischethirdharmonic
    权利要求:
    Claims (14)
    [1]
    Leistungsverstärkeranordnung, umfassend: – einenHalbleiterkörper(2) mit einer Oberflächeund einer Vielzahl von Abgriffen, die auf der Oberfläche desHalbleiterkörpers(2) angeordnet sind; – einen Leistungsverstärker mitzumindest einem Eingang zur Zuführungeines zu verstärkendenSignals und mit einem ersten Ausgang ausgebildet zur Abgabe einesersten Signals mit einer ersten Mittenfrequenz und mit einem zweitenAusgang ausgebildet zur Abgabe eines zweiten Signals mit einer zweitenMittenfrequenz; – zumindesteinen ersten Eingangsanschluss (28) auf der Oberfläche desHalbleiterkörpers(2), der mit dem zumindest einen Eingang des Leistungsverstärkers verbundenist; – zumindesteinen ersten Ausgangsabgriff (21, 22) auf derOberflächedes Halbleiterkörpers(2), der mit dem ersten Ausgang des Leistungsverstärkers verbundenist; – einenzweiten Ausgangsabgriff (23) und einen dritten Ausgangsabgriff(24) auf der Oberflächedes Halbleiterkörpers(2), die mit dem zweiten Ausgang des Leistungsverstärkers verbundensind; – miteinem an den zweiten Ausgangsabgriff (23) und einem anden dritten Ausgangsabgriff (24) angeschlossenen Leitungsdraht(63, 64); gekennzeichnet durch einenLadungsspeicher (40), der mit dem dritten Ausgangsabgriff(24) gekoppelt und zur Bildung eines Resonanzkreises mitdem Leitungsdraht (64) ausgebildet ist.A power amplifier arrangement comprising: - a semiconductor body ( 2 ) having a surface and a plurality of taps, which on the surface of the semiconductor body ( 2 ) are arranged; A power amplifier having at least one input for supplying a signal to be amplified and having a first output designed to output a first signal having a first center frequency and having a second output designed to output a second signal having a second center frequency; At least one first input terminal ( 28 ) on the surface of the semiconductor body ( 2 ) connected to the at least one input of the power amplifier; At least one first output tap ( 21 . 22 ) on the surface of the semiconductor body ( 2 ) connected to the first output of the power amplifier; A second output tap ( 23 ) and a third output tap ( 24 ) on the surface of the semiconductor body ( 2 ) connected to the second output of the power amplifier; With one to the second output tap ( 23 ) and one to the third output tap ( 24 ) connected wire ( 63 . 64 ); characterized by a charge storage ( 40 ) connected to the third output tap ( 24 ) and to form a resonant circuit with the lead wire ( 64 ) is trained.
    [2]
    Leistungsverstärkeranordnungnach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher(40) einen Kondensator umfasst, dessen erster Anschlussmit dem dritten Ausgangsabgriff (24) gekoppelt und dessenzweiter Anschluss mit einem Anschluss für ein Bezugspotential verbundenist.Power amplifier arrangement according to Claim 1, characterized in that the charge store ( 40 ) comprises a capacitor whose first connection to the third output tap ( 24 ) and whose second terminal is connected to a terminal for a reference potential.
    [3]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangsabgriffe (21, 22, 23, 24)als Kontaktpads auf der Oberflächedes Halbleiterkörpers(2) ausgebildet sind.Power amplifier arrangement according to one of Claims 1 to 2, characterized in that the output taps ( 21 . 22 . 23 . 24 ) as contact pads on the surface of the semiconductor body ( 2 ) are formed.
    [4]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher (40)außerhalbdes Halbleiterkörpers(2) angeordnet ist.Power amplifier arrangement according to one of Claims 1 to 3, characterized in that the charge store ( 40 ) outside the semiconductor body ( 2 ) is arranged.
    [5]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der zumindest eine erste Ausgangsabgriff(21, 22) mit einem Leitungsdraht (61, 62)verbunden ist.Power amplifier arrangement according to one of claims 1 to 4, characterized in that the at least one first output tap ( 21 . 22 ) with a conductor wire ( 61 . 62 ) connected is.
    [6]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Ausgangsabgriff(24) auf der Oberflächedes Halbleiterkörpers(2) einen größeren Abstandzu dem zumindest einen ersten Ausgangsabgriff (21, 22)aufweist, als der zweite Ausgangsabgriff (23) zu dem erstenAusgangsabgriff (21, 22).Power amplifier arrangement according to one of Claims 1 to 5, characterized in that the third output tap ( 24 ) on the surface surface of the semiconductor body ( 2 ) a greater distance to the at least one first output tap ( 21 . 22 ) than the second output tap ( 23 ) to the first output tap ( 21 . 22 ).
    [7]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitungsdrähte (61, 62, 63, 64)als Bonddrähtezur Kontaktierung der Ausgangsabgriffe (21, 22, 23, 24)mit Pins (11, 12, 13, 14) einesGehäuses (1)ausgebildet sind.Power amplifier arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that the lead wires ( 61 . 62 . 63 . 64 ) as bonding wires for contacting the output taps ( 21 . 22 . 23 . 24 ) with pins ( 11 . 12 . 13 . 14 ) of a housing ( 1 ) are formed.
    [8]
    Leistungsverstärkeranordnungnach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher(40) außerhalbdes Gehäuses(1) angeordnet und mit dem Anschlusspin (14) verbundenist, mit dem der Leitungsdraht (64) gekoppelt ist.Power amplifier arrangement according to Claim 7, characterized in that the charge store ( 40 ) outside the housing ( 1 ) and connected to the connection pin ( 14 ), to which the conductor wire ( 64 ) is coupled.
    [9]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher (40)und der Leitungsdraht (64) einen Serienresonanzkreis bildet.Power amplifier arrangement according to one of Claims 1 to 8, characterized in that the charge store ( 40 ) and the conductor wire ( 64 ) forms a series resonant circuit.
    [10]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher (40)einen Stelleingang zur Abstimmung einer Kapazität des Ladungsspeichers (40)ausgebildet ist.Power amplifier arrangement according to one of Claims 1 to 9, characterized in that the charge store ( 40 ) a control input for tuning a capacity of the charge storage ( 40 ) is trained.
    [11]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher (40)mit dem Leitungsdraht (64) ein Frequenzübertragungsverhalten mit einerCharakteristik aufweist, die füreine Unterdrückungeiner harmonischen Komponente des zweiten Signals am zweiten unddritten Ausgangsabgriff geeignet ist, wobei die harmonische Komponenteein ganzzahliges Vielfaches der zweiten Frequenz aufweist.Power amplifier arrangement according to one of Claims 1 to 8, characterized in that the charge store ( 40 ) with the conductor wire ( 64 ) has a frequency response with a characteristic suitable for suppression of a harmonic component of the second signal at the second and third output tap, the harmonic component being an integer multiple of the second frequency.
    [12]
    Leistungsverstärkeranordnungnach einem der Ansprüche1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladungsspeicher (40)mit dem Leitungsdraht (64) einen Saugkreis bildet, wobeidas an den Ausgangsabgriffen (23, 24) abgreifbareNutzsignal einen harmonischen Signalanteil aufweist und der gebildeteSaugkreis zur Stromführungdes Signalanteils ausgebildet ist.Power amplifier arrangement according to one of Claims 1 to 8, characterized in that the charge store ( 40 ) with the conductor wire ( 64 ) forms a absorption circuit, wherein the at the output taps ( 23 . 24 ) tapped useful signal has a harmonic signal component and the formed absorption circuit is designed to conduct current of the signal component.
    [13]
    Verfahren zum Verarbeiten eines Hochfrequenzsignals,umfassend die Schritte: – Bereitstelleneines zu verstärkendenSignals; – Bereitstelleneines Verstärkermit einem ersten und einem zweiten Ausgangsabgriff; – Anlegendes Signals an den Verstärker; – Verstärken desSignals mit dem Verstärker,wodurch ein erwünschterSignalanteil als Nutzsignal verstärkt wird und ein unerwünschterSignalanteil erzeugt wird; – Abgreifen des verstärkten Signalsan dem ersten Ausgangsabgriff und an dem zweiten Ausgangsabgriff; – Anlegendes an dem ersten Ausgangsabgriff abgegriffenen Signals an einenResonator mit einer Resonanzfrequenz, die einer Frequenz des ungewünschtenSignalanteils entspricht.Method for processing a high-frequency signal,comprising the steps:- Provideone to be strengthenedsignal;- Providean amplifierwith a first and a second output tap;- Investthe signal to the amplifier;- Reinforce theSignal with the amplifier,which is a desirableSignal component is amplified as a useful signal and an undesirableSignal component is generated;- Picking up the amplified signalat the first output tap and at the second output tap;- Investof the signal tapped at the first output tap to aResonator with a resonant frequency that is a frequency of the unwantedSignal component corresponds.
    [14]
    Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,dass der Schritt Anlegen des an dem ersten Ausgangsabgriff abgegriffenenSignals die Schritte umfasst: – Bilden eines Saugkreisesan dem ersten Ausgangsabgriff; – Verstärken des ungewünschtenSignalanteils durch Resonanzbildung durch Dämpfen des Nutzsignals.Method according to claim 13, characterized in thatin that the step of applying the tapped at the first output tapSignal includes the steps:- forming a absorption circleat the first output tap;- Reinforce the unwantedSignal component by resonance formation by attenuating the useful signal.
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